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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
66
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1473
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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