RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1853
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link