RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2262
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link