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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
8.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2079
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
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