RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3256
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link