RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1881
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link