RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3233
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link