RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
64
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
64
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2197
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link