RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
44
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2374
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link