RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2083
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link