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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
76
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
76
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1260
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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