RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1989
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link