RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2620
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link