RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2199
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link