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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
40
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
40
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2959
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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