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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3066
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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