RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3066
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link