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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3489
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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