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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
13.3
17.8
写入速度,GB/s
8.5
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3489
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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