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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
16.1
14.5
写入速度,GB/s
10.1
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2368
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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