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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
比较
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
总分
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
12.2
16.8
写入速度,GB/s
8.2
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2128
2834
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
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