RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2989
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link