RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
53
Por volta de 47% menor latência
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
53
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2310
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link