RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
53
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2310
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link