RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
15.1
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3723
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link