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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
51
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
21
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2801
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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