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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
51
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2801
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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