RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3541
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link