RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3541
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link