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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
75
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
75
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
6.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
1548
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
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