RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
75
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
75
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1548
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link