RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
51
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
38
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3005
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link