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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
9.8
15.0
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3005
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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