RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
51
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3035
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link