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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
9.8
16.9
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3035
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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