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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
51
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2248
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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