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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Puntuación global
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    51 left arrow 51
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 9.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2208 left arrow 2248

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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