RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3851
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link