RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
56
Por volta de 9% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
56
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2455
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link