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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2633
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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