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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2808
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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