Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Pontuação geral
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Pontuação geral
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 49
    Por volta de -40% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.8 left arrow 10.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 8.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    49 left arrow 35
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.2 left arrow 16.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.1 left arrow 13.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2465 left arrow 3306
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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