RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
49
Por volta de -158% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
19
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3542
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link