RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3406
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link