RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
49
Por volta de -145% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
20
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
17.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3703
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link