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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
65
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
65
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
1932
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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