RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
104
Por volta de -215% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2910
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.A1GDE.CP00C 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link