RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2594
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Jinyu 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link