RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2594
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link