RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
49
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
18.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
4095
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link